47МКФ-16В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
47МКФ-16В	208	1.11 >500 шт. 0.37

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...			129.60
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	ВЛАДИКАВКАЗ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСК
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СИРИУС
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СЗТП	4	183.49
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	БОЛХОВСКИЙ ЗПП
КР1056УП1			89	110.09
КР1056УП1		НУКЛОНАС
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 030	33.48
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398
РЕЗИСТОР ИМП. 1 W-0,47 ОМ-5%			4	11.16
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм		39	307.44
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм	КВАРЦ
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм	RUS
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм	КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ	41	196.31