К52-1 25 В 33 МКФ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К52-1 25 В 33 МКФ	6	311.75

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КП307А	Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		80	49.19
КП307А	Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН
КП307Б			81	49.19
КП307Б		ФОТОН
КП307Ж				34.56
КП307Ж		ФОТОН
КР1056УП1			89	110.09
КР1056УП1		НУКЛОНАС
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	8 572	38.16
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398