IHW20N120R3
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchStop™ |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 310W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | NEC |
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | DC COMPONENTS | 11 132 | 11.08 | |
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | MATSUSHITA |
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | 6 189 | 8.53 | ||
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц | RENESAS |
|
|
|
| DIP S-14 |
|
|
||||||
| DIP S-14 |
|
|
||||||
| DIP S-20 |
|
|
||||||
 |
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор | TOS |
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор |
|
1 720.00 | ||
| GT50J327 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| GT50J327 |
|
1 693.60 | ||||||
| GT50J327 | TOS |
|
|
|||||
| GT50J327 | КИТАЙ |
|
|
