IXFN70N60Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFN70N60Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	265nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7200pF @ 25V
Power - Max	890W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN70N60Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFN70N60Q2 datasheet
110.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
APT60M75JVR		APT
APT60M75JVR		Microsemi Power Products Group
APT60M75JVR
GA200SA60UP		VISHAY
GA200SA60UP		INTERNATIONAL RECTIFIER
GA200SA60UP				8 000.00
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	17.01
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			19.20
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	КИТАЙ
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	552 100	2.07
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HUASHUO	26 644	2.30
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	YOUTAI	48 658	2.84
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	UMW	23 200	4.13
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE	283	2.73
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEEN SIDE	9 416	1.91
IXFN180N20				6 440.00
IXFN180N20		IXYS
IXFN44N50Q		IXYS
IXFN44N50Q