IXFN44N50Q
|
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 44A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Power - Max | 500W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT60M75JVR | APT |
|
|
|||||
| APT60M75JVR | Microsemi Power Products Group |
|
|
|||||
| APT60M75JVR |
|
|
||||||
 |
 |
BYT230PIV-400 |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
| GA200SA60SP |
|
Тиристор IGBT модуль | VISHAY |
|
|
|||
| GA200SA60SP |
|
Тиристор IGBT модуль |
|
2 893.92 | ||||
| HS25 27R 1% |
|
|
||||||
| IXFN180N20 |
|
6 440.00 | ||||||
| IXFN180N20 | IXYS |
|
|
