КС582Г

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КС582Г	8	18.50
КС582Г	8	18.50

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFG591,115		NXP Semiconductors
BFG591,115		NXP SEMIC
BFG591,115		NXP
BFG591,115		NXP
BFG591,115
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	75.60
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	VISHAY
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	FAIR
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	HARRIS
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERSIL
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W			61.68
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	HARRIS
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERSIL
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	Vishay/Siliconix
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	FAIRCHILD
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF510	Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	КИТАЙ
RLB1314-221KL	Индуктивность с радиальными выводами 220мкГн, 10%, 680мА			46.00
RLB1314-221KL	Индуктивность с радиальными выводами 220мкГн, 10%, 680мА	BOURNS	1 061	53.58
SDR1006-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm	BOURNS	7 141	35.21
SDR1006-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm
ГРПМШ1-31ШУ2-В				155.52
ГРПМШ1-31ШУ2-В		КОМ
ГРПМШ1-31ШУ2-В		НЕРУССА
ГРПМШ1-31ШУ2-В		РОССИЯ	4	701.10