SDR1006-101KL
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm
|
|
Версия для печати
| Тип | SDR |
| Номинальная индуктивность,мкГ | 100 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 10 |
| Рабочая температура,С | -50...125 |
| Способ монтажа | SMD |
| Особенности | для высокоточных цепей |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SDR1006 SMD Power Inductors Также в этом файле: SDR1006-101KL
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 160.06 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 127.26 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC |
|
|
|
 |
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм | BOURNS | 9 | 113.65 | ||
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм |
|
|
|||
 |
|
BFG591,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BFG591,115 |
|
NXP SEMIC |
|
|
||
|
|
|
BFG591,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BFG591,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BFG591,115 |
|
|
|
|||
| RC1206FR-07100KL | YAGEO | 227 806 | 1.03 | |||||
| RC1206FR-07100KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC1206FR-07100KL |
|
16.00 | ||||||
| RC1206FR-07100KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC1206FR-07100KL | YAGEO | 3 636 |
|
|||||
 |
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm |
|
65.60 |
