| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
14 792
|
3.49
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 410
|
3.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
1 600
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
67 228
|
0.55
>1000 шт. 0.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.77
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
15 832
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
2SA1837+2SC4793 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
880
|
330.62
|
|
|
|
2SA1837+2SC4793 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
582
|
84.80
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
|
286
|
51.52
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
664
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
211
|
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
517
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
394.30
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
|
20
|
572.04
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
196
|
|
|