| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 20mA, 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 3V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
40
|
158.76
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
|
616
|
129.55
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
761
|
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КД213А-6 |
|
|
|
2
|
|
|
|
|
|
КД213А-6 |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
231.25
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
2 975
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
480
|
340.96
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
|
5 059
|
4.42
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМНИЙ
|
1 469
|
10.58
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
МИНСК
|
12 041
|
11.55
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМН
|
|
|
|
Версия для печати
