JFV0A1224K150000B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
JFV0A1224K150000B (JB)	1 214	9.29

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0650HIM-130G-G	Кнопка тактовая для монтажа в отв. платы 0.05А, 12В	SWITRONIC	9 000	10.24
0650HIM-130G-G	Кнопка тактовая для монтажа в отв. платы 0.05А, 12В
0650HIM-130G-G	Кнопка тактовая для монтажа в отв. платы 0.05А, 12В	SWITR	2 720	5.75
15EDGRC-3.5-04P-14-00AH		DEGSON ELECTRONICS
15EDGRC-3.5-04P-14-00AH
3296W-25К	Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
3296W-25К	Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
3296W-25К	Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			17.72
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 791	21.63
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	839	10.21
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	1 048	7.83
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
LM235Z	=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	ST MICROELECTRONICS	22 336	107.63
LM235Z	=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры
LM235Z	=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	STMicroelectronics
LM235Z	=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	ST MICROELECTRONICS SEMI
LM235Z	=LM235=К1019ЕМ1 -40+125 TO92, Датчик температуры	4-7 НЕДЕЛЬ	384