Версия для печати
Технические характеристики ADM483EARZ-REEL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	Transceiver
Number of Drivers/Receivers	1/1
Protocol	RS422, RS485
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Драйверы, приемники, передатчики

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0650HIM-130G-G		Кнопка тактовая для монтажа в отв. платы 0.05А, 12В	SWITRONIC	9 025	10.24
		0650HIM-130G-G		Кнопка тактовая для монтажа в отв. платы 0.05А, 12В
		0650HIM-130G-G		Кнопка тактовая для монтажа в отв. платы 0.05А, 12В	SWITR	2 504	5.76
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			28.00
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	0.00
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-25К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		19	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 644	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	972	10.16
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 168	7.82
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS INSTRUMENTS	296	1 136.52
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V			1 278.32
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	BURR-BROWN
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS	700	1 146.64
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS INSTR
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	ФИЛИППИНЫ
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	ТАИЛАНД
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS INSTRUMEN
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	4-7 НЕДЕЛЬ	324

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"