BTS621L1
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Корпус | P-TO220-7 |
| Корпус (размер) | TO-220-7 Formed Leads |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 5 V ~ 34 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 14A |
| Ток выходной / канал | 4.4A |
| Сопротивление (On-State) | 80 mOhm |
| Число выходов | 2 |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Тип | High Side |
| Серия | PROFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BTS621L1 Smart Two Channel Highside Power Switch (overload Protection Current Limitation Short Circuit Protection Thermal Shutdown)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 50В 105° CD263 (16Х25) КОНДЕНСАТОР ELZET ECRH1H102MA00I25C |
|
|
||||||
 |
 |
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... |
|
904.00 | ||
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY | 15 | 1 125.45 | |
|
|
MD2202-D128-X |
|
SanDisk |
|
|
|||
| НКИ 1.5-4 |
|
4.40 | ||||||
| НКИ 1.5-4 | КВТ |
|
|
|||||
| НКИ 1.5-4 | KVT |
|
|
|||||
| НКИ 1.5-6 | 1 120 | 4.32 | ||||||
| НКИ 1.5-6 | КВТ | 1 843 | 7.23 | |||||
| НКИ 1.5-6 | KVT |
|
|
