|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
AMS
|
5 671
|
13.94
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
AMSI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
|
|
30.00
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
YOUTAI
|
113 638
|
2.83
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
YONGYUTAI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
FULIHAO TECH
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
SLKOR
|
8 364
|
3.18
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
208
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
JSMICRO
|
6 141
|
2.83
|
|
|
|
B82477G4224M |
|
|
EPCOS
|
2 339
|
130.17
|
|
|
|
B82477G4224M |
|
|
|
|
|
|
|
|
B82477G4224M |
|
|
TDK
|
|
|
|
|
|
B82477G4224M |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
B82477G4224M |
|
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
25 744
|
1.91
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 327
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
885 983
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
660 858
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
123 414
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
200 628
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
16 681
|
1.74
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
200
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
RC1206JR-073R9 |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 3.9
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-073R9 |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 3.9
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-073R9 |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 3.9
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-073R9 |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 3.9
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SS-321 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
|
|
176.00
|
|
|
|
SS-321 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SS-321 |
|
Напряжение 250 B Ток 10 А Кол-во положений ON-OFF
|
SUN RISE
|
|
|
|