| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
BM
|
|
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
|
8
|
16.65
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
|
8
|
16.65
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
NXU
|
|
|
|
|
|
BLS-3 |
|
Гнездо на кабель с 1х3 контактами и шагом 2.54мм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1020 105C WL |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 20%
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
56
|
162.61
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
PR03000201300JAC00 |
|
|
Vishay/BC Components
|
|
|
|
|
|
PR03000201300JAC00 |
|
|
VISHAY
|
312
|
36.39
|
|
|
|
PR03000201300JAC00 |
|
|
|
|
|
|
|
|
RN55C1003FRE6 |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
RN55C1003FRE6 |
|
|
DALE
|
|
|
|