|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 25ns |
| Ток пиковое значение | 5A |
| Число конфигураций | 2 |
| Число выходов | 2 |
| Напряжение питания | 3.5 V ~ 14 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 1 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| 0.125ВТ 0805 100 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
|
|
IRF7324PBF |
|
Транзистор P-канальный -20В -9А | INTERNATIONAL RECTIFIER | 4 | 181.50 | ||
|
|
IRF7324PBF |
|
Транзистор P-канальный -20В -9А | 3 | 74.00 | |||
|
|
IRF7324PBF |
|
Транзистор P-канальный -20В -9А | INFINEON |
|
|
||
| IRF7343TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7343TRPBF | INFINEON | 2 856 | 46.49 | |||||
| IRF7343TRPBF | 8 751 | 37.25 | ||||||
| IRF7343TRPBF | INFINEON |
|
|
|||||
| IRF7343TRPBF | VBSEMI | 2 | 57.86 | |||||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
National Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
|
|