IRLML2060TRPBF
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 1.25W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 64pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.67nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 1.2A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
