UCC27424D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
UCC27424D (TEXAS INSTRUMENTS)	4	246.91
UCC27424D (4-7 НЕДЕЛЬ)	262	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики UCC27424D

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Напряжение питания	4 V ~ 15 V
Число выходов	2
Число конфигураций	2
Ток пиковое значение	4A
Время задержки	25ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	Low-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DS1233D-5+		MAXIM
DS1233D-5+		MAX
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
КД522 (1N4148)	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		83	34.96
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	384	38.16
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	3
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	428
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 917	27.75
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	32.79
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 665	38.16
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147

UCC27424D

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают: