DR127-101-R ,100МКГН

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MMBT4403		FAIR
MMBT4403		NATIONAL SEMICONDUCTOR
MMBT4403		TAITRON COMPONENTS
MMBT4403		FAIRCHILD
MMBT4403		FAIRCHILD	5 132
MMBT4403		NATIONAL SEMICONDUCTOR
MMBT4403		TAITRON COMPONENTS
MMBT4403		Fairchild Semiconductor
MMBT4403			51 200	1.82 >100 шт. 0.91
MMBT4403		ONS-FAIR
MMBT4403		PANJIT
MMBT4403		ONS
MMBT4403		HOTTECH	28 800	1.66 >100 шт. 0.83
MMBT4403		KLS
MMBT4403		DIOTEC	2 467	1.52 >100 шт. 0.76
MMBT4403		YIXIN
MMBT4403		YJ	185 196	1.36 >100 шт. 0.68
MMBT4403		YIXING
MMBT4403		SHIKUES
MMBT4403		ASEMI
MMBT4403		YANGZHOU YANGJIE
MMBT4403		MERRYELC	9 200	1.92 >100 шт. 0.96
MMBT4403		YANGJIE	369	1.06
MTS-212 A-2		M H
MTS-212 A-2		JIE
MTS-212 A-2				43.28
MTS-212 A-2		КИТАЙ
КД522 (1N4148)	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс
КД 522 Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	RUS
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		333	34.96
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	28.35
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	384	37.80
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР