DR127-101-R ,100МКГН

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MTS-112 A-2		M H
MTS-112 A-2		JIE
MTS-112 A-2				39.92
MTS-112 A-2		КИТАЙ
MTS-212 A-2		M H
MTS-212 A-2		JIE
MTS-212 A-2				43.28
MTS-212 A-2		КИТАЙ
КД522 (1N4148)	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		138	32.20
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	28.35
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	508	37.80
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 193	27.75
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	28.35
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 729	37.80
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ