Версия для печати
Технические характеристики TAJB476K006RNJ

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	TAJ Series Suffix Change 08/Dec/2008
Серия	TAJ
Емкость	47µF
Номинальное напряжение	6.3V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	2.000 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210 (3528 Metric)
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.10mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose

Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С TAJB476K006RNJ datasheet 112,33kB 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%	AVX	328	1.26  >100 шт.   0.63
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%	KYOCERA
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%	AVX	4 266
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%	KYOCERA
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%	AVX Corporation
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%
		0603YC104KAT2A		Конденсатор SMD 100нФ 0603 16В X7R 10%	KYOCERA-AVX
		CC0603KRX5R7BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ, 16 В, 10%	YAGEO	186 143	0.99  >500 шт.   0.33
		CC0603KRX5R7BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ, 16 В, 10%	YAGEO
		CC0603KRX5R7BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ, 16 В, 10%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0603KRX5R7BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ, 16 В, 10%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0603KRX5R7BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ, 16 В, 10%			1.96
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	VISHAY
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт		320	10.00
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	VISHAY	7 741
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	Vishay/Dale
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)			17.72
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INFINEON	41 715	7.16
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	HOTTECH
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	VBSEMI
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	OLITECH
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	1
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	JSMICRO	24 116	2.47
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	КИТАЙ	8	6.00
		STM32F103RBT6TR		Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...	STMicroelectronics
		STM32F103RBT6TR		Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...	ST MICROELECTRONICS
		STM32F103RBT6TR		Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STM32F103RBT6TR		Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...		757	260.25

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"