74ACT373 DW (SN74ACT373DW)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IN74ACT04D		IK SEMICONDUCTOR
IN74ACT04D		ИНТЕГРАЛ
IN74ACT04D				196.88
IN74ACT04D		????????
IN74ACT04D		4-7 НЕДЕЛЬ	348
LQH32MN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)		1	86.40
LQH32MN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)	MURATA	1	10.33
LQH32MN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)	MUR	38 063	5.32
SN74LVC4245ADW		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC4245ADW			12	60.00
SN74LVC4245ADW		TEXAS
SN74LVC4245ADW		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC4245ADW		TEXAS INSTRUMEN
SN74LVC4245ADW		4-7 НЕДЕЛЬ	464
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		212	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	30.24
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 512	37.80
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240
КТ972А (200Г)