AUIRL1404ZS
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ESDA6V1SC6 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
ESDA6V1SC6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
ESDA6V1SC6 |
|
80.64 | |||||
|
|
ESDA6V1SC6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||||
|
|
ESDA6V1SC6 | STMicroelectronics |
|
|
||||
| MSP430F5419AIPZ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| MSP430F5419AIPZ |
|
|
||||||
| MSP430F5419AIPZ | TEXAS INSTRUMENTS | 4 |
|
|||||
| MSP430F5419AIPZ | TEXAS |
|
|
|||||
| MSP430F5419AIPZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 412 |
|
|||||
| NCP3170ADR2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP3170ADR2G |
|
|
||||||
| NCP3170ADR2G | ON SEMICONDUCTOR | 456 |
|
|||||
| NCP3170ADR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NCP3170ADR2G | ON SEMICONDUCTOR | 7 895 | 74.20 | |||||
| NCP3170ADR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 158 |
|
|||||
| NCP3170ADR2G | 2500 |
|
|
|||||
| NCP3170ADR2G | 6497 |
|
|
|||||
| RC0805FR-075K11L | YAGEO | 79 928 |
0.70 >1000 шт. 0.14 |
|||||
| RC0805FR-075K11L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805FR-075K11L |
|
|
||||||
| RC0805JR-0724KL | YAGEO | 41 108 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC0805JR-0724KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805JR-0724KL |
|
|
