Версия для печати

TC4007UBF CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC Также в этом файле: TC4007UBP Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 4007UB datasheet 169.01Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно			46.40
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	NXU	5 680	22.73
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	RUICHI	4	62.53
		TRS-8		DIP панель 8-контактная цанговая узкая 7.62 мм, шаг 2.54 мм, до 500В кратковременно	XINLAIYA	63	16.53
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.		38	64.26
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	ХАБАРОВСК
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	НЗПП
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	НОВОСИБИРСК
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	RUS
		К176ИЕ4		Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.	СПЛАВ	480	73.36
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		956	37.48
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	240	101.25
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ЗПП
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ИНТЕГРАЛ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МЕЗОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МИКРОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ХАБАРОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	АЗОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МИНСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ЗПП МИНСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	И-ФРАНКОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	РОДОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП		3	37.00
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	RUS
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	НОВОСИБИРСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	СПЛАВ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	РОССИЯ	738	40.50
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		560	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 379	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	278	8.48
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	3 600	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"