STGD5NB120SZ-1

Версия для печати

Технические характеристики STGD5NB120SZ-1

Current - Collector (Ic) (Max)	10A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Серия	PowerMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	75W
Тип входа	Logic
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STGD5NB120SZ-1 (IGBT)

Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А

Производитель:
STMicroelectronics

STGD5NB120SZ-1 datasheet
397.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFP90N20D	Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP90N20D	Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W)		230	228.56
IRFP90N20D	Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W)	INFINEON
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP	260	263.90
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.			277.40
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	4-7 НЕДЕЛЬ	104
UCC37324P		TEXAS INSTRUMENTS
UCC37324P				434.40
UCC37324P		TEXAS INSTRUMEN
UCC37324P		TEXAS
UCC37324P		4-7 НЕДЕЛЬ	342
КР531ТЛ3				37.88
КР531ТЛ3		ЭТАЛ
КР531ТЛ3		ЭЛЬТАВ
КЭВ-10-1 ГОМ-5%