Версия для печати
Технические характеристики SG6859TZ

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	65 ~ 75kHz
Напряжение входное	11.5 V ~ 30 V
Напряжение выходное	18V
Рабочая температура	-20°C ~ 150°C
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT

SG6859TZ datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAR43		Диод	FAIR
		BAR43		Диод		19	8.82
		BAR43		Диод	FAIRCHILD
		BAR43		Диод	FAIRCHILD
		BAR43		Диод	OTHER
		BAR43		Диод	Fairchild Semiconductor
		BAR43		Диод	ST MICROELECTRONICS
		BAR43		Диод	ФИЛИППИНЫ
		BAR43		Диод	FSC
		BAR43		Диод	ONS
		BAR43		Диод	ONS-FAIR
		BAR43		Диод	JSCJ	16 341	1.80  >100 шт.   0.90
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ON SEMICONDUCTOR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DC COMPONENTS	8 118	1.86  >100 шт.   0.93
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DIOTEC	45 600	1.64
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс		2 704	1.84  >100 шт.   0.92
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ONS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD	8 101
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS	11 428
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	Fairchild Semiconductor
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ZTX
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	JSCJ	13 236	2.30
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	SZOMK	2	1.70  >100 шт.   0.85
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	3
		FMMT459TA			ZTX
		FMMT459TA			ZETEX
		FMMT459TA			ZETEX
		FMMT459TA			Diodes/Zetex
		FMMT459TA				2 384	35.15
		FMMT459TA			DIODES
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 581	2.12
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 680	8.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)		3	7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		NCP1219AD100R2G			ON SEMICONDUCTOR
		NCP1219AD100R2G			ONS
		NCP1219AD100R2G
		NCP1219AD100R2G			4-7 НЕДЕЛЬ	519

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"