GBU6G
Диодный мост (V=400В, I=6.0А, Vf=1.0V@I=6.0A, Rm=5.0mm, -55 to +150C), однорядный, цоколевка ``+~~-``.
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
| Current - DC Forward (If) | 6A |
| Diode Type | Single Phase |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | GBU |
| Корпус | GBU |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3310C-001-504L |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
3310C-001-504L |
|
BOURNS |
|
|
||
|
|
|
3310C-001-504L |
|
|
|
|||
| ICE1PCS02 |
|
PFC | INFINEON |
|
|
|||
| ICE1PCS02 |
|
PFC |
|
|
||||
| ICE1PCS02 |
|
PFC | Infineon Technologies |
|
|
|||
| ICE1PCS02 |
|
PFC |
|
|
||||
| ICE1PCS02 |
|
PFC | 4-7 НЕДЕЛЬ | 329 |
|
|||
| KBU4J | FAIR |
|
|
|||||
| KBU4J | GENERAL INSTRUMENT |
|
|
|||||
| KBU4J | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| KBU4J | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| KBU4J | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| KBU4J | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| KBU4J | GENERAL INSTRUMENT |
|
|
|||||
| KBU4J | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| KBU4J | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| KBU4J |
|
|
||||||
| KBU4J | LGE | 1 | 12.50 | |||||
| RC0805FR-07887KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805FR-07887KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805FR-07887KL |
|
|
||||||
 |
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON | 1 | 261.10 | |
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом |
|
575.64 | ||
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON TECH |
|
|
