IRF9333

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9333 (EVVO)	165	14.54

Версия для печати

Технические характеристики IRF9333

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1110pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS	33	12.60
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS SEMI
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	STMicroelectronics
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	КИТАЙ
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A		8
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRO
LM285LP-1-2		TEXAS INSTRUMENTS
LM285LP-1-2		TEXAS INSTRUMENTS
LM285LP-1-2		TEXAS
LMX1600TM	Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMX1600TM	Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц			137.08
LMX1600TM	Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR	4
LMX1600TM	Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	NATIONAL	20	150.06
LMX1600TM	Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	4-7 НЕДЕЛЬ
LQH55DN2R2M03L		MUR	1 548	71.07
LQH55DN2R2M03L
LQH55DN2R2M03L		MURATA
MC78LC25NTRG		ON SEMICONDUCTOR
MC78LC25NTRG		ONS
MC78LC25NTRG
MC78LC25NTRG		4-7 НЕДЕЛЬ