Версия для печати
Технические характеристики MJE15031

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 4A, 2V
Power - Max	50W
Frequency - Transition	30MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

MJE15028 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120 В­ 150 VOLTS 50 WATTS Также в этом файле: MJE15031 Производитель: Motorola, Inc. //www.freescale.com MJE15031 datasheet 219.68Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC1983		Биполярный транзистор	SAMSUNG
		2SC1983		Биполярный транзистор			53.36
		2SC1984		Биполярный транзистор	SANKEN
		2SC1984		Биполярный транзистор	SK
		2SC1984		Биполярный транзистор			45.48
		2SC1984		Биполярный транзистор	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		2SC1984		Биполярный транзистор	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MJE15029			MOTOROLA
		MJE15029			ON SEMICONDUCTOR
		MJE15029				1	150.40
		MJE15029			MOTOROLA
		MJE15029			ON SEMICONDUCTOR

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	4 988	1.98
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	8.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	2 970	3.73
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		12 047	1.10  >100 шт.   0.55
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	7.18
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.34
		BZX85C3V3RL			MOTOROLA
		BZX85C3V3RL			MOTOROLA	4 363
		MJE15030		Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15030		Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20			93.04
		MJE15030		Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20	ISC
		MJL1302AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	ON Semiconductor
		MJL1302AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	ONS	88	468.72
		MJL1302AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А		188	156.97
		MJL3281AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	ON Semiconductor
		MJL3281AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	ON SEMICONDUCTOR
		MJL3281AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	ONS
		MJL3281AG		Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А		84	156.97

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"