RC1206JR-0733RL
|
|
Версия для печати
| Сопротивление (Ом) | 33 |
| Серия | RC1206 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Мощность (Ватт) | 0.25W, 1/4W |
| Composition | Thick Film |
| Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Size / Dimension | 0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm) |
| Высота | 0.026" (0.65mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 1206 (3216 Metric) |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX84C5V1LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G | ONS | 64 | 4.17 | |||||
| BZX84C5V1LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 260 |
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G | 128 | 7.56 | ||||||
| BZX84C5V1LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G | NXP |
|
|
|||||
| C503D-WAN-CBBDB151 | CREE |
|
|
|||||
| C503D-WAN-CBBDB151 | Cree Inc |
|
|
|||||
| C503D-WAN-CBBDB151 |
|
60.36 | ||||||
| RC1206FR-074K75L | YAGEO | 161 811 |
0.75 >1000 шт. 0.15 |
|||||
| RC1206FR-074K75L | YAGEO | 2 666 |
|
|||||
| RC1206FR-074K75L |
|
|
||||||
| RC2512JK-072RL | YAGEO | 15 163 | 8.45 | |||||
| RC2512JK-072RL |
|
|
||||||
 |
 |
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... |
|
360.00 | ||
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... | Infineon Technologies |
|
|
