![]() |
|
Производитель | Yageo Corporation |
Допуск емкости | ±5% |
Номинальное постоянное напряжение | 50 В |
Тип диэлектрика | NPO |
Рабочая температура | -55...125 °C |
Multilayer chip capacitance | |
Размер | 1.6x0.8x0.8 |
Номинальное напряжение | 50 В |
Температурный коэфициент | NPO |
Емкость | 1000 пФ |
Серия | CC_0603 |
Корпус (размер) | 0603 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Тип | Керамический |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
BC807,215 |
![]() |
NXP Semiconductors |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
BC807,215 |
![]() |
NXP |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
BC807,215 |
![]() |
NEX | 26 576 | 15.61 | ||
![]() |
![]() |
BC807,215 |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
BC807,215 |
![]() |
NEX-NXP |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BZX84C12LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
BZX84C12LT1G | ONS | 28 470 | 3.92 | ||||
![]() |
BZX84C12LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 17 188 |
![]() |
||||
![]() |
BZX84C12LT1G | ON SEMICONDUCTO |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
BZX84C12LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
BZX84C12LT1G |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
BZX84C12LT1G | ONSEMI |
![]() |
![]() |
||||
RC0805FR-071ML | YAGEO | 314 093 |
1.05 >500 шт. 0.35 |
|||||
RC0805FR-071ML | YAGEO | 20 740 |
![]() |
|||||
RC0805FR-071ML |
![]() |
![]() |
||||||
RC0805FR-07240RL | YAGEO | 367 493 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||||
RC0805FR-07240RL |
![]() |
![]() |
||||||
RC2512JK-072RL | YAGEO | 50 502 | 3.68 | |||||
RC2512JK-072RL |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|