1SMB5930BT3G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 12.2V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 3W |
| Impedance (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FSC |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) |
|
352.00 | ||
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FSC1 |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | ONS |
|
|
