FQPF12N60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF12N60C		352.00

Версия для печати

Технические характеристики FQPF12N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 25V
Power - Max	51W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF12N60C (MOSFET)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF12N60C datasheet
1.1 Мб