100МКФ 16 (8X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A			34.00
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	Vishay/Semiconductors
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
1N5817 (1A 20V)	Диод Шоттки 20В, 1.0A
RES 0805 300K 5%		ROY
RES 0805 300K 5%		YAGEO
SQP-5-150 ОМ-5%			36	14.80
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 965	27.75
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	32.79
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 665	38.16
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147