| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
GALI-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GALI-1 |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
|
GALI-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GALI-1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
192
|
|
|
|
|
|
LM2587S-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2587S-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2587S-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2587S-ADJ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2587S-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
385
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 076
|
31.72
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
|
1 394
|
47.04
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
29
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
15 992
|
62.53
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
<>
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
RUME
|
23 992
|
6.73
|
|
 |
 |
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC
|
85 775
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
|
85 360
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
1 388
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
20
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
170
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YJ
|
365 701
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
HOTTECH
|
33 094
|
1.36
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE
|
45 600
|
1.05
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
SEMTECH
|
16 852
|
1.51
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
JSCJ
|
74 940
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KEEN SIDE
|
18 765
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMI
|
2 400
|
1.08
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
3000
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
5800
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
789
|
14.72
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.05
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 404
|
10.15
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.17
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.54
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.55
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
1
|
|
|
|
Версия для печати
