| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
OSRAM OPTO
|
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
VISHAY
|
909
|
64.03
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
|
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
OSRAM Opto Semiconductors Inc
|
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
OSRAM
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
18 622
|
222.16
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
2 207
|
191.63
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
180
|
258.30
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
178
|
|
|
|
|
|
L-34SF4C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм 880нм 20мВт
|
KB
|
4 384
|
33.03
|
|
|
|
|
L-34SF4C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм 880нм 20мВт
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-34SF4C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм 880нм 20мВт
|
|
|
18.32
|
|
|
|
|
L-34SF4C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм 880нм 20мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-34SF4C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм 880нм 20мВт
|
KGB
|
1 863
|
28.44
|
|
|
|
|
LP3878MR-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3878MR-ADJ |
|
|
|
844
|
218.30
|
|
|
|
|
LP3878MR-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP3878MR-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
54
|
|
|
|
|
|
LP3878MR-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP3878MR-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
688
|
|
|
|
|
|
T491D477K006AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор
|
KEMET
|
759
|
60.62
|
|
|
|
|
T491D477K006AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор
|
|
|
|
|
|
|
|
T491D477K006AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
T491D477K006AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор
|
KEM
|
|
|
|
Версия для печати
