| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
|
|
630.12
|
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
751
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
|
|
60.00
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 338
|
2.61
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 685
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
749 107
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
431 759
|
1.05
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
29 526
|
1.21
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
95 484
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
131 289
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
222 960
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
NXP
|
1 066
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
PHILIPS
|
15 999
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
|
|
7.88
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
NJM4556AD |
|
Операционный усилитель 2х канальный, 8МГц, 3В/мкс
|
JRC
|
|
|
|
|
|
NJM4556AD |
|
Операционный усилитель 2х канальный, 8МГц, 3В/мкс
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
NJM4556AD |
|
Операционный усилитель 2х канальный, 8МГц, 3В/мкс
|
NJR
|
|
|
|
|
|
NJM4556AD |
|
Операционный усилитель 2х канальный, 8МГц, 3В/мкс
|
|
|
65.68
|
|
|
|
NJM4556AD |
|
Операционный усилитель 2х канальный, 8МГц, 3В/мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
959
|
|
|