| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.50
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
CA050M0022RED-0605 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CA050M0022RED-0605 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В
|
|
|
7.88
|
|
|
|
|
CA050M0022RED-0605 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CA050M0022RED-0605 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
MUR
|
1
|
56.47
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
STW10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
|
|
|
|
|
|
|
STW10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
КСОТ-1-500В-6800 ПФ 2% |
|
|
|
|
|
|