STW10NK80Z

Версия для печати

Технические характеристики STW10NK80Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW10NK80Z (MOSFET)

N-channel 800V - 0.78? - 9A - TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW10NK80Z datasheet
450.4 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CA035M0100REF-0810	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	YAGEO
CA035M0100REF-0810	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В		1	23.60
CA035M0100REF-0810	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ECAPSMD 10/16V 0405 105C RC	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В	SAMWHA
LQH43M-181-1000 МКГН 10%
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	26 330	13.10
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
КСО-5Г-500В-1500ПФ