|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
1 160
|
263.83
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
|
1 352
|
195.67
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
|
320
|
10.00
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
7 741
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
DI7M4X30 |
|
Стойка латунная, никелированная M4 30|10
|
|
|
|
|
|
|
DI7M4X30 |
|
Стойка латунная, никелированная M4 30|10
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
DI7M4X30 |
|
Стойка латунная, никелированная M4 30|10
|
VOGT
|
|
|
|
|
|
DI7M4X30 |
|
Стойка латунная, никелированная M4 30|10
|
---
|
|
|
|
|
|
DI7M4X30 |
|
Стойка латунная, никелированная M4 30|10
|
ESSE
|
|
|
|
|
|
SPA11N60C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA11N60C3 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA11N60C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA11N60C3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SPA11N60C3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 057
|
33.30
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 679
|
31.87
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 920
|
37.80
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|