Версия для печати
Технические характеристики STP12NM50FP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1000pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

STP12NM50FP (MOSFET) N-channel 550V @ tjmax - 0.30? - 12A TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP12NM50FP datasheet 542.9 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	EIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ON SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DC COMPONENTS	7 834	12.79
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SMK
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ST MICROELECTRONICS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ONS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%		5 459	6.50
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	OTHER	3
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	Microsemi Commercial Components Group
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MULTICOMP
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	KLS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	HOTTECH
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	1
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SUNTAN	280	7.55
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	LGE
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%		2 992	27.66
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SENOCN	24	7.99
		ECAP 1000/16V 0820 105C MZ		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	JAMICON
		ECAP 1000/16V 0820 105C MZ		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	JAM
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		40	113.40
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	20	43.50
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2 816	15.12
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	507	13.61
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"