|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
360 237
|
1.17
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
90 056
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
70
|
1.77
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.44
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
574 568
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 411
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
197 292
|
0.93
>500 шт. 0.31
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
496 816
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
108 000
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
227 368
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
8 032
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KEEN SIDE
|
42 660
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
|
23 822
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
DC COMPONENTS
|
24 116
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
БРЕСТ
|
5 673
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
HOTTECH
|
48 321
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SEMTECH
|
1 399
|
1.49
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
ECAP 4700/25V 1632 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 25 В,16*32, SK
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
|
|
229.48
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
620
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
|
4 644
|
7.62
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
НЗПП
|
728
|
17.56
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
СЗТП
|
40
|
68.04
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|