| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
|
|
612.00
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
35
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ANALOG DEVICES
|
43
|
718.79
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
|
68
|
259.00
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
628
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
|
|
266.00
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
108
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.70
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
83 184
|
1.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
325
|
1.99
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
1 485
|
2.20
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 566
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.58
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.31
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
67 395
|
1.14
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
74 356
|
1.17
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
15 004
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
12.74
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
|
4
|
32.00
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
324
|
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
364
|
|
|