| Мощность рассеяния,Вт | 0.3 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 7.6 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 8.6 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 10 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.002 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 0.12 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 33 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
MAX1480ACPI |
|
|
MAXIM
|
2
|
|
|
|
|
|
MAX1480ACPI |
|
|
|
|
1 563.12
|
|
|
|
|
MAX1480ACPI |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX1480ACPI |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX1480ACPI |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
705
|
|
|
 |
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
2 012
|
5.47
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
880
|
12.40
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
191
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
|
1 494
|
5.52
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
БРЯНСК
|
873
|
12.72
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
1512
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
208
|
29.44
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 014
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
366
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
1 611
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|
Версия для печати
