Версия для печати
Технические характеристики HEF4013BP

Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	3 V ~ 15 V
Ток выходной макс., мин.	3.4mA, 3.4mA
Тип триггера	Positive Edge
Частота - Тактовый генератор	40MHz
Число битов на элемент	1
Число элементов	2
Тип выхода	Differential
Тип	D-Type
Функция	Set(Preset) and Reset
Серия	4000B
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

HEF4013B (Триггеры) Dual D-type flip-flop Также в этом файле: HEF4013BP, HEF4013BPN Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com HEF4013BP datasheet 83.01Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Триггеры (Flip Flops)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	3 958	1.88  >100 шт.   0.94
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	73 741	1.05
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	807	2.27
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	162 939	1.59
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	15 183	1.06  >100 шт.   0.53
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	5 616	1.38  >100 шт.   0.69
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DI
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	6 800	1.05
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В		185 132	3.70
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	103 238	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	72 048	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	145 886	1.22  >100 шт.   0.61
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	17 439	1.05
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	1
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	105	1.72  >100 шт.   0.86
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	41 200	1.08  >100 шт.   0.54
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	CTK	31 247	1.54  >100 шт.   0.77
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KEEN SIDE	6	1.02  >500 шт.   0.34
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SENOCN	280	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН	14	2.18
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	7 004	3.53
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 707	3.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	792	11.34
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		3 040	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	60 693	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.80
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	72	1.46  >100 шт.   0.73
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	2 520	3.61
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 718	4.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		21 448	1.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	402	1.70
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.17
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	3 739	1.50
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE	5 080	1.72  >100 шт.   0.86
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 096	1.27
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	FAIR
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	PHILIPS
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	NXP
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4		64	15.09
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	PHILIPS SEMIC
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	КИТАЙ
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	NEX	113	13.07
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	NEX-NXP	93	16.58
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	1
		74HC240N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4	4-7 НЕДЕЛЬ	563
		MC34118P			ON SEMICONDUCTOR
		MC34118P			MOTOROLA
		MC34118P					217.08
		MC34118P			UTC
		MC34118P			4-7 НЕДЕЛЬ	764

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"