BFP420

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFP420		44.32

Версия для печати

Технические характеристики BFP420

Корпус	PG-SOT343-4
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Тип монтажа	Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max)	35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 20mA, 4V
Power - Max	160mW
Gain	21dB
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition	25GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFP420

NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BFP420 datasheet
52.89Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	BOURNS	744	28.97
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	Bourns Inc
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD	1 523
HSMS-2803-TR1		AVAGO TECHNOLOGIES	1 684
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA	1 924	21.78
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	30 232	12.56
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
SDR0503-153JL				31.88
SDR0503-153JL		BOURNS
SN74LVC1G58DCKR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC1G58DCKR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC1G58DCKR		TEXAS	1 952	18.30
SN74LVC1G58DCKR
SN74LVC1G58DCKR		4-7 НЕДЕЛЬ	423