BFP420
СВЧ 4.5V 35mA 160mW 25GHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-SOT343-4 |
| Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 4V |
| Power - Max | 160mW |
| Gain | 21dB |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFP420 NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT6203WE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BFG540/X.215 | NXP |
|
|
|||||
| BFG540/X.215 |
|
|
||||||
 |
GRM1885C1H302JA01D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
|
27.60 | ||||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
MUR | 4 236 | 1.01 | |||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
MURATA | 156 000 | 7.57 | |||
 |
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | MUR |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж |
|
|
||
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | MURATA |
|
|
|
|
|
RLB0914-330KL |
|
Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm | BOURNS |
|
|
||
|
|
RLB0914-330KL |
|
Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm |
|
42.40 |
