Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 5mA, 30mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 20V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 60MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
|
1 120
|
24.24
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
2SA1837 |
|
Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
|
761
|
21.23
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
ISC
|
793
|
127.41
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
JSMICRO
|
1 315
|
22.82
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
|
|
7.24
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
48
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BF822 |
|
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=50mA, P=250mW, B>50@I=25mA, f>60MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF822 |
|
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=50mA, P=250mW, B>50@I=25mA, f>60MHz, -65 to +150C)
|
|
9
|
16.38
|
|
|
|
BF822 |
|
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=50mA, P=250mW, B>50@I=25mA, f>60MHz, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
DIOTEC
|
1 935
|
2.08
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
PHILIPS
|
4 500
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 504
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
43 379
|
1.59
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
GALAXY ME
|
4 384
|
3.19
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
HOTTECH
|
203 096
|
2.60
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
SEMTECH
|
1 438
|
2.52
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YJ
|
129 412
|
2.02
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FULIHAO TECH
|
2 400
|
2.07
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
JSCJ
|
146 756
|
1.20
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
TRR
|
45 600
|
1.31
|
|