B32529-C6332-J
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 1000PF NPO 5% 50V |
|
|
||||||
| 1206 330К 1% |
|
|
||||||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | MICRO CHIP | 800 | 123.98 | |||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | MICRO CHIP | 28 |
|
|||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | Microchip Technology |
|
|
|||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | MCP |
|
|
|||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 |
|
|
||||
| 25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||
 |
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BOURNS |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BARONS |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R |
|
|
|||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BOURNS |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | BOCHEN | 181 | 38.15 | ||
|
|
3296W-1-100 |
|
Подстроечный резистор 10R | 17 |
|
|
||
 |
 |
MJ-0-6 |
|
Перемычка шаг 2.54мм, 3А, 0.3Ом, до 650В |
|
|
