| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
|
MICRO CHIP
|
880
|
144.65
|
|
|
|
|
25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
|
MICRO CHIP
|
28
|
|
|
|
|
|
25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
|
MCP
|
|
|
|
|
|
|
25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
|
|
|
|
|
|
|
|
25LC256-I/SN |
|
ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
704
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
|
|
36.00
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
132
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BOCHEN
|
8 480
|
7.79
|
|
|
|
|
B32529-C6332-J |
|
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C5V1.215 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C5V1.215 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C5V1.215 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84-C5V1.215 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
|
|
|
|
|
|
MJ-0-6 |
|
Перемычка шаг 2.54мм, 3А, 0.3Ом, до 650В
|
|
|
|
|