1206 330К 1%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 1000PF NPO 5% 50V
25LC256-I/SN	ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5	MICRO CHIP	1 120	113.65
25LC256-I/SN	ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5	MICRO CHIP	28
25LC256-I/SN	ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5	Microchip Technology
25LC256-I/SN	ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5	MCP
25LC256-I/SN	ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5
25LC256-I/SN	ИМС память EEPROM SPI 32kx8 2,5-5	4-7 НЕДЕЛЬ	704
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R	BOURNS
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R	BARONS
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R	BOURNS
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R	Bourns Inc
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R	КИТАЙ
3296W-1-100	Подстроечный резистор 10R	BOCHEN	1 184	22.40
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``			36.00
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BARONS
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	Bourns Inc
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	КИТАЙ
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOURNS	132
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOURNS
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	UNKNOWN
3296W-1-102	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOCHEN	2 996	9.11
B32529-C6332-J		EPCS