| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 1 МОМ 5% |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
0805 1 МОМ 5% |
|
|
ROYAL OHM
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
TE
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
|
125 116
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DC COMPONENTS
|
17 708
|
3.68
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
4 241
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
5 020
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DIOTEC
|
2 700
|
1.16
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
HOTTECH
|
17 967
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SUNTAN
|
12
|
2.53
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
JSCJ
|
40 119
|
2.19
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
XSEMI
|
9 860
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KEEN SIDE
|
20 055
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP(PHILIPS)
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
22000
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
32
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
20500
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
59 952
|
3.01
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
1
|
16.97
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
65 878
|
8.07
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
356 279
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
4
|
11.13
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
253 953
|
8.64
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
10 400
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
77
|
2.29
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1930
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
2655
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|