|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1-1623788-6 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
1-1623788-6 |
|
|
TECONN
|
|
|
|
|
|
1-1623788-6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BYG21M-E3/TR |
|
Диод, DO214
|
VISHAY
|
6
|
24.44
|
|
|
|
BYG21M-E3/TR |
|
Диод, DO214
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BYG21M-E3/TR |
|
Диод, DO214
|
|
|
62.80
|
|
|
|
CA14NV12,5-10KA2020 |
|
|
ACP
|
|
|
|
|
|
CA14NV12,5-10KA2020 |
|
|
|
|
|
|
|
|
CA14NV12,5-10KA2020 |
|
|
KENON
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 663
|
2.67
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
692
|
3.00
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
22 150
|
2.96
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
11.62
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
6 787
|
6.20
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
576
|
4.56
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
1 629
|
5.05
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
8 400
|
2.82
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNCO
|
43 200
|
3.06
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
KEEN SIDE
|
463
|
2.78
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MERRYELC
|
4 504
|
3.35
|
|
|
|
KBP210G |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
KBP210G |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBP210G |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
KBP210G |
|
|
|
|
|
|