NL17SV00XV5T2G
|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-553 |
| Корпус (размер) | SOT-553 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 0.9 V ~ 3.6 V |
| Ток выходной макс., мин. | 24mA, 24mA |
| Число каналов | 1 |
| Число входов | 2 |
| Логический тип | NAND Gate |
| Серия | 17SV |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3296W 5K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | 1 | 12.34 | ||
|
|
|
3296W 5K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | RUICHI |
|
|
|
|
|
|
3296W 5K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | КИТАЙ | 6 | 17.92 | |
|
|
BB152 | NXP |
|
|
||||
|
|
BB152 | NXP |
|
|
||||
|
|
BB152 |
|
|
|||||
| MC33079DT |
|
4xOP-Amp +-18V LN | ST MICROELECTRONICS | 3 | 56.83 | |||
| MC33079DT |
|
4xOP-Amp +-18V LN | ST MICROELECTRONICS SEMI | 28 |
|
|||
| MC33079DT |
|
4xOP-Amp +-18V LN | STMicroelectronics |
|
|
|||
| MC33079DT |
|
4xOP-Amp +-18V LN |
|
|
||||
| MC33079DT |
|
4xOP-Amp +-18V LN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 136 |
|
|||
| MC74LCX574DTR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC74LCX574DTR2G | ONS |
|
|
|||||
| MC74LCX574DTR2G | ON SEMIC |
|
|
|||||
| MC74LCX574DTR2G |
|
|
||||||
| MC74LCX574DTR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MC74LCX574DTR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 690 |
|
|||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 40 | 13.26 | ||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | 1 264 | 4.83 | |||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | YOUTAI | 20 796 | 2.95 | ||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 169 |
|
